重磅 | 南宫NG娱乐光电推出第三代半导体系列新产品
2021-04-20 04:00
第三代半导体
2020年10月,南宫NG娱乐光电乐成举办了首届南宫NG娱乐之光论坛,论坛上南宫NG娱乐光电宣布将紧抓国产化机缘,迅速拓展第三代半导体新赛道。近期,南宫NG娱乐光电正式推出一系列第三代半导体新产品,在新的赛道上迈出了坚实的程序。
01 新赛道 开新局
第三代半导体是国家2030计划和“十四五”国家研发计划的重要生长偏向。与古板的硅基半导体相比,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体除了具备较大的禁带宽度之外,还具有高导热率、高电子饱和漂移速度、高击穿电压、优良的物理和化学稳定性等特点。风乘国家“十四五”对半导体集成电路领域的计划,南宫NG娱乐光电在“三代半封测”领域大力结构,在传承“LED封测”高可靠性的票鹄胛理体系基础上,致力于打造高可靠性及高品质优势的“专业三代半功率封测企业”。02 新偏向 立异品
目前,南宫NG娱乐光电在第三代半导体领域已经形成了3大产品系列,包括:SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率?。南宫NG娱乐光电打造高可靠性、高品质的功率器件封测企业,坚定高性能、高可靠性、高品质的产品路线。●SiC功率器件南宫NG娱乐光电SiC功率器件小而轻便,反向恢复快、抗浪涌能力强、雪崩耐压高,拥有优越的性能与极高的事情效率。目前该领域已形成了2条SiC功率器件拳头产品线:SiC-MOSFET、SiC-SBD;拥有4种封装结构(TO-247、TO-220、TO-263、TO-252);可广泛应用于大功率电源、充电桩等工业领域。
●GaN-DFN器件
南宫NG娱乐光电的GaN-DFN器件具有更高的临界电场、精彩导通电阻、更低的电容等优势,使其尤适用于功率半导体器件,降低节能和系统总本钱的同时,事情频率更高,具有极高的功率密度和系统效率,可极大地提升充电器、开关电源等应用的充电效率,广泛应用于新能源汽车充电、手机快充等。
●功率?
南宫NG娱乐光电第三代半导体功率?,接纳自主立异的架构及双面高效散热设计,具有优越的电性能和热性能,杂散电感低、转换效率高、轻载损耗小等优势,其功率密度大,产品体型小,可广泛应用于种种变频器、逆变器的工业领域,满足系统开发人员对空间的严格要求。?椴房善揪萏厥夤π枨蠼心?榛ㄖ瓶。
03 “星”速度 见实效
为做好技术储备积累,满足市场需求,2020年南宫NG娱乐光电便启动了组建功率器件实验室及功率器件产线的事情。目前,南宫NG娱乐光电第三代半导体新品已正式推出,其中,TO-220/TO247系列的SIC-MOSFET和SIC-SBD产品已经进入了试产阶段,并且在样品阶段完成了AEC-Q101车规级标准的摸底测试验证事情。TO-247-3L的性能抵达1200V、40A、80mΩ,TO-220-3L抵达1200V、13A、160mΩ。
与此同时,公司产品已送至第三方有资质的机构,正在依据AEC-Q101、JESD22、MILSTD-750等有关车规级和工业级标准进行认证测试。
未来,在国家“十四五”计划的伟大蓝图下,南宫NG娱乐光电定将连续加大第三代半导体的研究开发和技术结果转化,为国家战略宁静、为第三代半导体国产化孝敬力量。