南宫NG娱乐

克日，南宫NG娱乐光电子公司风华芯电乐成开发出基于扇出面板级封装的D-mode氮化镓半桥？
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▲扇出型D-mode氮化镓半桥？槌叽缃鑫6×7×0.45mm

该？樵诜庾靶问缴先〉眯峦黄，相关于古板键合线框架封装，？樘寤蕴67％，电路板布板面积降低30%，使得整体封装结构更紧凑、产品性能更精彩，可进一步推动氮化镓产品向小型化、轻薄化、高效化偏向生长，为快充等消耗电子市场应用提供更优的手艺解决计划
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手艺立异

塑造市场竞争新优势

风华芯电此次推出的D-mode氮化镓半桥？榭筛玫刂阆牡缱邮谐∮τ貌芳啥群托⌒突找嫔兜男枨
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？榱⒁旖幽自主研发的扇出面板级封装形式，其通过铜球键合工艺实现氮化镓高电子迁徙率晶体管（GaN HEMT）和硅（Si MOS）芯片的凸点结构，借助再布线层（RDL）的镀铜工艺实现互连，抵达4个功率管有用互连效果，并形成半桥拓扑结构，实现？槟诓拷峁沟母呙芏燃，镌汰产品体积，提升性能优势，增强产品市场竞争力
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▲D-mode氮化镓半桥？樯瘸雒姘寮斗庾安枷呓峁故疽馔

锚定“三优”

赋能产品提质增效

基于扇出面板级封装形式，D-mode氮化镓半桥？槭迪至恕叭拧蹦康模

▌性能更优

由于扇出面板级封装能够在更狭窄的空间内完成更重大电气互连，更短的互连线路，使得整体？槟诓拷峁垢舸，实现体积镌汰超67%，布板尺寸缩减30％
。并且？榈募纳绺小⒌缱韪，可充分验展氮化镓质料的高频、高效率的特征，提升整体性能
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