手艺领域
本发明关于一种LED 晶粒焦点BIN产品整片抽测方法（各电性、光学特征磨练），该系统中突破惯性头脑的先翻膜后分片的抽测要领，接纳先整片抽测晶圆后翻膜分片矩阵抽测的工艺要领。
配景手艺
在LED晶圆完因素类挑拣成为某一电性光学品级的制品后，会先使用点测装备对制品晶粒举行抽测，以便确保各晶粒的电性、光学特征是与分类挑选的要求一致，同时是包管产品出货的品质。
然而，现在焦点BIN产品现有的抽测磨练实验方法是：先将焦点BIN翻膜分片，再由点测装备对LED制品所有晶粒举行坐标全扫描，最后举行矩阵抽测。现我司焦点BIN产品分为三片后抽测，以是一张4寸焦点BIN产品要做三次全扫描+矩阵抽测（图1），扫描时间和上下片时间耗时较长。
图1
而这种做3次全扫描+矩阵抽测的方法，扫描的时间占了机台运行的大部分时间，而真正点测的时间现实很少，造效果率低下。因此，若能够将晶粒扫描次数变少，将上下片时间降到最低，同时亦可节约抽测机台装备，即镌汰制造本钱和人力本钱，为最佳解决计划。
发明内容
本发明的目的即在于提供一种LED制品晶粒抽测的新方法，分选下机后整片抽测晶圆系统付与各子片抽测信息，能够将抽测扫描时间和上下片时间缩短。
本发明所提供的一种 LED制品电性参数抽测的运作要领，与变换前工艺要领更具优势：
首先，所述的LED 晶粒焦点BIN产品整片抽测方法，是全新的抽测方法，突破先分片翻膜后抽测的惯性头脑，刷新为在字母环上抽测后分片。
其次，所述的LED晶粒焦点BIN产品整片抽测方法，有用降低抽测扫描时间、上下片时间和一律产能下可节约装备台数的优势，生产效率可大幅度提高 ；节约机台&职员本钱。
最后，此工艺运作要领，LED 制品的抽测异常追诉准确度大大提高，漏出率极低。
附图说明
为了更清晰地说明本发明实验例或现有手艺中的手艺计划，下面将对实验例或现有手艺形貌中所需要使用的附图作简朴地先容，显而易看法，下面形貌中的附图是本发明的一些实验例，关于本事域通俗手艺职员来讲，在不支付创立性劳动的条件下，还可以凭证这些附图获得其他的附图。
图2是本发明实验焦点BIN产品整片抽测扫描和测试的显示图：
如图所示，本发明可实现整片扫描，矩阵电性测试，有用降低抽测上下片时间和扫描时间。
图2
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