剑指第三代半导体领域，南宫NG娱乐光电产品结构再完善！克日，南宫NG娱乐光电研究院乘势推出以TO-247-4L为封装形式的NSiC-KS系列产品，可应用于移动储能、光伏逆变、新能源汽车充电桩等场景，为新能源市场再添实力猛将！

SiC MOSFET里的“星”封装
南宫NG娱乐光电NSiC-KS

随着工业4.0时代及新能源汽车的快速普及，工业电源、高压充电器对功率器件开关消耗、功率密度等性能的要求也一直提高，新型高频器件SiC MOSFET因其耐压高、导通电阻低、开通消耗小等优异特点，正以迅猛生长之势抢占新能源市场。

南宫NG娱乐光电依附领先的封装手艺优势，通过科学系统的设计，接纳带辅助源极管脚的TO-247-4L作为NSiC-KS系列产品的封装形式，并将之应用于SiC MOSFET上，取得分立器件在开关消耗、驱动设计等方面的新突破。

以南宫NG娱乐光电第三代半导体 NSiC系列 1200V 80mΩ的SiC MOSFET产品为例，一起来比照通例TO-247-3L封装和以TO-247-4L为封装形式的NSiC-KS封装在“封装设计”“开通消耗”“开关消耗”及“开关频率及误启危害”四个方面的差别。

?快速阅读，先看结论：
接纳NSiC-KS封装的SiC MOSFET，阻止了驱动回路和功率回路共用源极线路，实现了这两个回路的解耦，使得NSiC-KS封装的SiC MOSFET开关消耗、开通消耗均显着降低，开关频率更快，寄生电感与误开启危害更低。

审查TO-247-3L封装 VS NSiC-KS封装比照

■TO-247-3L封装：

在SiC MOSFET开通历程中，漏极电流ID迅速上升，较高的电流转变率在功率源极杂散电感Lsource上爆发较大的正压降LSource*(dID)/dt（上正下负），该压降使得SiC MOSFET芯片上的门极电压VGS_real在开通的瞬间不是驱动电压的数值，而是减掉Lsource上爆发的电压，以是，开通瞬间的门极电压大幅下降，导致ID上升速率减慢，Eon因此而增大。

■NSiC-KS封装：

基于开尔文源极脚（KS）的保存，门极回路中没有大电流穿过，没有来自主功率回路的扰动，芯片的门极能准确地感受到驱动电压，从而降低了开通消耗。经由实测比照，NSiC-KS封装较之TO-247-3L封装，开通消耗可显着降低约55%。

NSiC-KS封装中，由于增添了开尔文源极脚（KS），降低了源极引脚电感效应，通过SiC MOSFET的VGS电压险些即是栅极驱动电压VDRV。因此，如下图所示：与TO-247-3L封装相比，NSiC-KS封装有助于提高SiC MOSFET开关速率。

■关断时：

NSiC-KS封装中栅极回路没有大电流流过，基本不会爆发反向感应电动势VLS，因而受到极低的功率回路的串扰，减小了关断时VGS电压的振荡幅度，降低误开启的危害。

为知足市场需求，南宫NG娱乐光电NSiC-KS SiC MOSFET产品有多款型号选择。同时，基于公司具备完整的SiC分立器件生产线，南宫NG娱乐光电可凭证客户需要，提供高性能、高可靠性、高品质的产品手艺解决计划。

厚积薄发，走得更远。南宫NG娱乐光电一连实验立异驱动生长战略，走深走实“三代半封测”领域，起劲突破要害手艺壁垒，为我国第三代半导体国产化提供更多高品质的“星”计划，注入磅礴“星”实力。